Samsung presenta l’SSD 3D V-NAND di sesta generazione

Samsung Electronics, leader mondiale nella tecnologia delle memorie avanzate, ha annunciato la produzione di massa di SSD SATA da 250 GB basati sui suoi moduli V-NAND di sesta generazione a 256 gigabit con più di 100 strati di celle a tre bit, che saranno consegnati ai produttori di PC di tutto il mondo. Samsung ha impiegato solo 13 mesi per realizzare il chip V-NAND di nuova generazione, riducendo i tempi di produzione di quattro mesi e offrendo al contempo i moduli più performanti, più efficienti dal punto di vista energetico e più facili da produrre.

I moduli V-NAND di sesta generazione di Samsung offrono velocità di trasferimento dati leader del settore, dimostrando il vantaggio produttivo dell’azienda che porta la memoria 3D a un livello superiore. Grazie all’esclusiva tecnologia “channel etch” di Samsung, i nuovi cristalli V-NAND presentano circa il 40% di celle in più rispetto ai moduli di memoria single-chip 9x della precedente generazione. Ciò si ottiene formando una struttura elettricamente conduttiva a 136 strati, quindi praticando fori cilindrici verticali dall’alto verso il basso, ottenendo celle 3D omogenee con tecnologia charge trap flash CTF .

Man mano che l’altezza del die aumenta in ogni cella, i chip NAND flash diventano più inclini agli errori e ai ritardi di lettura. Per superare questa limitazione, Samsung ha introdotto un circuito a velocità ottimizzata che consente di raggiungere velocità di trasferimento massime inferiori a 450 microsecondi µs per le operazioni di scrittura e inferiori a 45 µs per le operazioni di lettura. Rispetto alla generazione precedente, il nuovo design consente di aumentare le prestazioni di oltre il 10% e di ridurre il consumo energetico di oltre il 15%.

Il design ottimizzato consente alle soluzioni V-NAND di prossima generazione di raggiungere più di 300 strati, combinando tre celle di sesta generazione senza compromettere le prestazioni o l’affidabilità del chip. Inoltre, il chip di nuova generazione da 256 GB richiede solo 670 m di lunghezza d’onda per la produzione, rispetto ai 930 m della generazione precedente. Questo ha ridotto le dimensioni dei chip e il numero di fasi di produzione, migliorando l’efficienza produttiva del 20%.

Grazie alle caratteristiche di alta velocità e basso consumo, Samsung intende non solo estendere l’uso delle sue soluzioni 3D V-NAND a dispositivi come i gadget mobili e i server aziendali, ma anche portarle nel mercato automobilistico, dove l’alta affidabilità è fondamentale.

“Incorporando la tecnologia di memoria 3D avanzata nei modelli di produzione di massa, siamo in grado di introdurre linee di prodotti di memoria con velocità e consumi significativamente più elevati”, ha dichiarato Kye Hyun Kyung, vicepresidente della memoria flash e della tecnologia di Samsung Electronics. – Accorciando il ciclo di sviluppo dei prodotti V-NAND di prossima generazione, prevediamo di espandere in modo aggressivo il mercato delle nostre soluzioni ad alta velocità e ad alte prestazioni basate su V-NAND da 512 Gigabit.

Dopo l’uscita dell’SSD da 250 GB, Samsung prevede di introdurre l’SSD triple V-NAND da 512 GB e l’eUFS nella seconda metà dell’anno. L’azienda intende inoltre espandere la produzione delle sue potenti soluzioni V-NAND di sesta generazione ad alta velocità presso il suo stabilimento di Pyeongtaek, in Corea, a partire dal prossimo anno.