Toshiba Memory presenta XL-FLASH, la soluzione di memoria di classe storage

Toshiba Memory Europe TME ha annunciato oggi il lancio della sua nuova soluzione di Storage Class Memory SCM , XL-FLASH™. Basata sulla tecnologia proprietaria e innovativa TME, la flash 3D BiCS FLASH™ 1-Bit Per Cell SLC , offre la bassa latenza e le elevate prestazioni richieste dai data center e dagli ambienti di storage aziendali.

Memoria di classe XL-FLASH, o memoria non volatile, che memorizza contenuti simili alla memoria flash NAND e colma il divario di prestazioni tra i tipi DRAM e NAND. La memoria volatile, compresa la DRAM, offre la velocità di accesso ai dati necessaria per l’esecuzione di applicazioni complesse, ma queste prestazioni hanno un costo elevato. Quando il costo delle soluzioni DRAM per bit di dati diventa troppo elevato e la scalabilità viene meno, il livello SCM della gerarchia di memorizzazione affronta il problema offrendo una soluzione economica sotto forma di memoria flash NAND ad alta densità e non volatile. La società di analisi IDC prevede che il mercato SCM si espanderà fino a superare i 3 miliardi di dollari nel 2023[1].

Nel divario tra DRAM e NAND flash, XL-FLASH raggiunge una maggiore velocità, una minore latenza e una maggiore capacità di memorizzazione a un costo inferiore rispetto alla DRAM tradizionale. XL-FLASH sarà inizialmente disponibile in formato SSD, ma in seguito potrà essere commercializzato come dispositivo collegato al canale DRAM, come i moduli di memoria non volatile dual in-line NVDIMM , che in futuro dovrebbero diventare lo standard del settore.

Caratteristiche principali:

– Chip da 128 gigabit GB un modulo da 2, 4 o 8 cristalli ;

– dimensione della pagina di 4KB per migliorare l’efficienza di lettura e scrittura da parte del sistema operativo;

– Architettura a 16 prese per un funzionamento parallelo più efficiente;

– Bassa latenza di lettura e programmazione delle pagine: la memoria XL-FLASH presenta una bassa latenza di lettura inferiore a 5 microsecondi, circa 10 volte più veloce delle memorie TLC esistenti.

In qualità di creatore della memoria NAND, prima azienda a introdurre la tecnologia flash 3D e leader nel cambiamento di processo, Toshiba Memory si trova nella posizione migliore per lanciare dispositivi SCM basati sulla memoria SLC, grazie alla sua infrastruttura di produzione matura, alla comprovata scalabilità e alla comprovata affidabilità dei prodotti di memoria SLC.

“XL-FLASH è la soluzione NAND più performante oggi disponibile grazie alla nostra memoria flash BiCS FLASH che opera in modalità SLC”, ha dichiarato Axel Stoermann, vicepresidente di Toshiba Memory Europe. – Inserendo un solo bit nella cella, siamo riusciti a migliorare significativamente le prestazioni. E poiché la memoria XL-FLASH si basa su tecnologie collaudate che sono già in produzione di serie, utilizzando XL-FLASH come soluzione di memoria di classe storage i nostri clienti saranno in grado di ridurre il loro time to market”.

I campioni di prova inizieranno ad essere spediti a settembre 2023., con inizio della produzione di massa previsto per il 2023.