Toshiba presenta i chip di memoria Bics Flash™ da 256 Gb e 48 strati

Roma, 5 agosto 2015.- Toshiba presenta la nuova generazione di chip Bics Flash

Basato su celle di memoria 3D. La novità è il primo dispositivo Bics a 48 strati da 256 gigabit 32 gigabyte al mondo

e utilizza una tecnologia TLC avanzata con tre bit in ogni cella. I campioni inizieranno ad essere spediti a settembre 2015.

Chip di memoria flash Bics a 48 strati

Capacità di 256 gigabit™ – un’innovativa struttura tridimensionale ha permesso di aumentare le prestazioni e la capacità sui nuovi supporti

I chip Bics Flash sono basati su un processo di packaging avanzato a 48 strati che consente di aumentare enormemente la capacità di memorizzazione, migliorare l’affidabilità di lettura/scrittura e ottenere prestazioni più rapide rispetto alle memorie NAND Flash 2D. I nuovi chip da 256 Gigabit sono adatti a una vasta gamma di dispositivi: SSD, smartphone, tablet e schede di memoria, nonché SSD aziendali per i centri dati.

Toshiba ha annunciato Bics Flash nel 2007 e da allora ha ulteriormente ottimizzato la tecnologia per la produzione di massa. Il produttore giapponese si aspetta che il mercato delle memorie Flash cresca in modo significativo il prossimo anno e sta quindi promuovendo attivamente il passaggio a Bics Flash. La linea di prodotti dei nuovi chip comprende i modelli a più alta capacità per le applicazioni più esigenti, come le SSD.

Toshiba si prepara ad avviare la produzione di massa di Bics Flash nel nuovo stabilimento Fab2 Operazioni di Yokkaichi. La costruzione dello stabilimento Fab2, che è stato messo a punto per la produzione di chip di memoria flash, sarà completata nella prima metà del 2023.